Monaróir :
Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos :
MOSFET N-CH 250V 30A TO-3PN
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
250V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
30A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3.5V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
132nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
5400pF @ 10V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
90W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
TO-3P(N)IS
Pacáiste / Cás :
TO-3P-3, SC-65-3