Cuid Uimhir :
SI3477DV-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
90nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
2600pF @ 6V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
2W (Ta), 4.2W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6