Vishay Siliconix - SI3477DV-T1-GE3

KEY Part #: K6420908

SI3477DV-T1-GE3 Praghsáil (USD) [290392pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.12737
  • 3,000 pcs$0.11986

Cuid Uimhir:
SI3477DV-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Diodes - Zener - Aonair and Túistéirí - TRIACanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI3477DV-T1-GE3 electronic components. SI3477DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3477DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3477DV-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI3477DV-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 12V 8A 6-TSOP
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17.5 mOhm @ 9A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V
Vgs (Max) : ±10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2600pF @ 6V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 2W (Ta), 4.2W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 6-TSOP
Pacáiste / Cás : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin