Cuid Uimhir :
SI3499DV-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
8V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
5.3A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
750mV @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
42nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.1W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6