Cuid Uimhir :
SI8810EDB-T2-E1
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 20V 2.1A MICROFOOT
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
-
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
72 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
900mV @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
8nC @ 8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
245pF @ 10V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
500mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
4-Microfoot