Cuid Uimhir :
TK12Q60W,S1VQ
Monaróir :
Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos :
MOSFET N CH 600V 11.5A IPAK
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
600V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
11.5A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
340 mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3.7V @ 600µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
25nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
890pF @ 300V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
100W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
I-PAK
Pacáiste / Cás :
TO-251-3 Stub Leads, IPak