Cuid Uimhir :
SI4170DY-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 30V 30A 8-SOIC
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
30A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
3.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.6V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
100nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
4355pF @ 15V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
3W (Ta), 6W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)