Vishay Siliconix - SI3464DV-T1-GE3

KEY Part #: K6395938

SI3464DV-T1-GE3 Praghsáil (USD) [383787pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Cuid Uimhir:
SI3464DV-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Diodes - Zener - Sraith, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Thyristors - SCRanna, Trasraitheoirí - JFETanna, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe and Túistéirí - DIACs, SIDACanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI3464DV-T1-GE3 electronic components. SI3464DV-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI3464DV-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI3464DV-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI3464DV-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 5V
Vgs (Max) : ±8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 1065pF @ 10V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 2W (Ta), 3.6W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 6-TSOP
Pacáiste / Cás : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6