Infineon Technologies - IPB019N08N3GATMA1

KEY Part #: K6417271

IPB019N08N3GATMA1 Praghsáil (USD) [28343pcs Stoc]

  • 1 pcs$1.45407

Cuid Uimhir:
IPB019N08N3GATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Thyristors - SCRanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Thyristors - SCRanna - Modúil, Modúil Tiomána Cumhachta, Diodes - Zener - Aonair and Diodes - Rectifiers Bridge ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPB019N08N3GATMA1 electronic components. IPB019N08N3GATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB019N08N3GATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB019N08N3GATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPB019N08N3GATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 80V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 180A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.9 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3.5V @ 270µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 206nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 14200pF @ 40V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 300W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TO263-7
Pacáiste / Cás : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)