Infineon Technologies - BSC117N08NS5ATMA1

KEY Part #: K6420144

BSC117N08NS5ATMA1 Praghsáil (USD) [164372pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.22502
  • 5,000 pcs$0.19841

Cuid Uimhir:
BSC117N08NS5ATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Trasraitheoirí - JFETanna, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Modúil Tiomána Cumhachta, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF and Diodes - Rectifiers - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies BSC117N08NS5ATMA1 electronic components. BSC117N08NS5ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSC117N08NS5ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSC117N08NS5ATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : BSC117N08NS5ATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 80V 49A 8TDSON
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 80V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 49A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 11.7 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3.8V @ 22µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 1300pF @ 40V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 2.5W (Ta), 50W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TDSON-8
Pacáiste / Cás : 8-PowerTDFN

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin