NXP USA Inc. - PHM30NQ10T,518

KEY Part #: K6400239

[3466pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    PHM30NQ10T,518
    Monaróir:
    NXP USA Inc.
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - JFETanna, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Rectifiers Bridge, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair and Túistéirí - TRIACanna ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in NXP USA Inc. PHM30NQ10T,518 electronic components. PHM30NQ10T,518 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PHM30NQ10T,518, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PHM30NQ10T,518 Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : PHM30NQ10T,518
    Monaróir : NXP USA Inc.
    Cur síos : MOSFET N-CH 100V 37.6A 8HVSON
    Sraith : TrenchMOS™
    Stádas Cuid : Obsolete
    Cineál FET : N-Channel
    Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 100V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 37.6A (Tc)
    Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 18A, 10V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
    Vgs (Max) : ±20V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 3600pF @ 25V
    Gné FET : -
    Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 62.5W (Tc)
    Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : 8-HVSON (6x5)
    Pacáiste / Cás : 8-VDFN Exposed Pad