Cuid Uimhir :
SI3493DDV-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CHANNEL 20V 8A 6TSOP
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
30nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
1825pF @ 10V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
3.6W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
6-TSOP
Pacáiste / Cás :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6