Vishay Siliconix - SI1424EDH-T1-GE3

KEY Part #: K6421517

SI1424EDH-T1-GE3 Praghsáil (USD) [697660pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.05302
  • 3,000 pcs$0.05025

Cuid Uimhir:
SI1424EDH-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Diodes - Rectifiers - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Diodes - Zener - Aonair, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF and Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI1424EDH-T1-GE3 electronic components. SI1424EDH-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1424EDH-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1424EDH-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI1424EDH-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CH 20V 4A SOT-363
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 4A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 18nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-363
Pacáiste / Cás : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363