Toshiba Semiconductor and Storage - TJ80S04M3L(T6L1,NQ

KEY Part #: K6419298

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Praghsáil (USD) [102769pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.40559
  • 2,000 pcs$0.40357

Cuid Uimhir:
TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Monaróir:
Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Thyristors - SCRanna - Modúil, Diodes - Rectifiers - Eagair, Diodes - Rectifiers Bridge, Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta and Túistéirí - DIACs, SIDACanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TJ80S04M3L(T6L1,NQ electronic components. TJ80S04M3L(T6L1,NQ can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TJ80S04M3L(T6L1,NQ, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TJ80S04M3L(T6L1,NQ Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : TJ80S04M3L(T6L1,NQ
Monaróir : Toshiba Semiconductor and Storage
Cur síos : MOSFET P-CH 40V 80A DPAK-3
Sraith : U-MOSVI
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 80A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 5.2 mOhm @ 40A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 158nC @ 10V
Vgs (Max) : +10V, -20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 7770pF @ 10V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 100W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : DPAK+
Pacáiste / Cás : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin