Vishay Siliconix - SI1317DL-T1-GE3

KEY Part #: K6421499

SI1317DL-T1-GE3 Praghsáil (USD) [651126pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.05681
  • 3,000 pcs$0.05384

Cuid Uimhir:
SI1317DL-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Trasraitheoirí - JFETanna, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Diodes - RF, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair and Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI1317DL-T1-GE3 electronic components. SI1317DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1317DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1317DL-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI1317DL-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 20V 1.4A SC70
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 1.4A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 150 mOhm @ 1.4A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 800mV @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 6.5nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 272pF @ 10V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 400mW (Ta), 500mW (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -50°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-323
Pacáiste / Cás : SC-70, SOT-323