Infineon Technologies - BSP613PH6327XTSA1

KEY Part #: K6420123

BSP613PH6327XTSA1 Praghsáil (USD) [162124pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.22814
  • 1,000 pcs$0.19643

Cuid Uimhir:
BSP613PH6327XTSA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Sraith, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Diodes - Rectifiers - Aonair, Diodes - Rectifiers - Eagair, Diodes - RF and Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies BSP613PH6327XTSA1 electronic components. BSP613PH6327XTSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSP613PH6327XTSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSP613PH6327XTSA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : BSP613PH6327XTSA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET P-CH 60V 2.9A SOT-223
Sraith : SIPMOS®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 60V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 2.9A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 130 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 1mA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 33nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 875pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 1.8W (Ta)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-SOT223-4
Pacáiste / Cás : TO-261-4, TO-261AA