Vishay Siliconix - SI2309CDS-T1-GE3

KEY Part #: K6419925

SI2309CDS-T1-GE3 Praghsáil (USD) [431769pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.08567
  • 3,000 pcs$0.08092

Cuid Uimhir:
SI2309CDS-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Zener - Aonair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Thyristors - SCRanna, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Diodes - Rectifiers - Eagair and Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI2309CDS-T1-GE3 electronic components. SI2309CDS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2309CDS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2309CDS-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI2309CDS-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 60V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 1.6A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 345 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 4.1nC @ 4.5V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 210pF @ 30V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 1W (Ta), 1.7W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-23-3 (TO-236)
Pacáiste / Cás : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin