Vishay Siliconix - SIHA2N80E-GE3

KEY Part #: K6419347

SIHA2N80E-GE3 Praghsáil (USD) [106720pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.34658

Cuid Uimhir:
SIHA2N80E-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Modúil Tiomána Cumhachta, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Diodes - Rectifiers - Aonair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair and Túistéirí - DIACs, SIDACanna ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIHA2N80E-GE3 electronic components. SIHA2N80E-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIHA2N80E-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIHA2N80E-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIHA2N80E-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CHAN 800V TO-220 FULLPA
Sraith : E
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 800V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 2.8A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.75 Ohm @ 1A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 19.6nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 315pF @ 100V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 29W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Through Hole
Pacáiste Gléas Soláthraithe : TO-220 Full Pack
Pacáiste / Cás : TO-220-3 Full Pack

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin