Infineon Technologies - IPB160N04S4H1ATMA1

KEY Part #: K6402046

IPB160N04S4H1ATMA1 Praghsáil (USD) [82489pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.47401
  • 1,000 pcs$0.43487

Cuid Uimhir:
IPB160N04S4H1ATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Diodes - Rectifiers - Eagair, Modúil Tiomána Cumhachta, Thyristors - SCRanna and Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPB160N04S4H1ATMA1 electronic components. IPB160N04S4H1ATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPB160N04S4H1ATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPB160N04S4H1ATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPB160N04S4H1ATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
Sraith : OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 40V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 160A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.6 mOhm @ 100A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 110µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 137nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 10920pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 167W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TO263-7-3
Pacáiste / Cás : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin
  • VN0109N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 90V 0.35A TO92-3.

  • ZVN3310ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 200MA TO92-3.

  • BS107PSTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 200V 0.12A TO92-3.

  • ZVN2106ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 60V 0.45A TO92-3.

  • LND150N3-G-P003

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3.

  • ZVN2110ASTZ

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3.