Vishay Siliconix - SIA913ADJ-T1-GE3

KEY Part #: K6522539

SIA913ADJ-T1-GE3 Praghsáil (USD) [383787pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.09638
  • 3,000 pcs$0.09104

Cuid Uimhir:
SIA913ADJ-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe and Transistors - FETs, MOSFETs - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SIA913ADJ-T1-GE3 electronic components. SIA913ADJ-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIA913ADJ-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIA913ADJ-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SIA913ADJ-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 P-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 61 mOhm @ 3.6A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 20nC @ 8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 590pF @ 6V
Cumhacht - Max : 6.5W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : PowerPAK® SC-70-6 Dual
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® SC-70-6 Dual