Infineon Technologies - IPG20N10S4L35AATMA1

KEY Part #: K6525305

IPG20N10S4L35AATMA1 Praghsáil (USD) [182536pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.20263
  • 5,000 pcs$0.18591

Cuid Uimhir:
IPG20N10S4L35AATMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2N-CH 8TDSON.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair and Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies IPG20N10S4L35AATMA1 electronic components. IPG20N10S4L35AATMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPG20N10S4L35AATMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPG20N10S4L35AATMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : IPG20N10S4L35AATMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET 2N-CH 8TDSON
Sraith : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 N-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 100V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.1V @ 16µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 17.4nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 1105pF @ 25V
Cumhacht - Max : 43W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 8-PowerVDFN
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-TDSON-8-10