Cuid Uimhir :
SI4850EY-T1
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
60V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
6A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
22 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
3V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
27nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.7W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)