Vishay Siliconix - SQS405EN-T1_GE3

KEY Part #: K6420436

SQS405EN-T1_GE3 Praghsáil (USD) [194426pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.19024

Cuid Uimhir:
SQS405EN-T1_GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Modúil Tiomána Cumhachta, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Diodes - RF and Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SQS405EN-T1_GE3 electronic components. SQS405EN-T1_GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SQS405EN-T1_GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SQS405EN-T1_GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SQS405EN-T1_GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 12V 16A POWERPAK1212
Sraith : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 16A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 13.5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 8V
Vgs (Max) : ±8V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 2650pF @ 6V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 39W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 175°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin