Vishay Siliconix - SI2325DS-T1-E3

KEY Part #: K6419226

SI2325DS-T1-E3 Praghsáil (USD) [196638pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.18810
  • 3,000 pcs$0.17663

Cuid Uimhir:
SI2325DS-T1-E3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - RF, Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Réamh-chlaon, Modúil Tiomána Cumhachta, Diodes - Zener - Aonair, Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair and Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI2325DS-T1-E3 electronic components. SI2325DS-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2325DS-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2325DS-T1-E3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI2325DS-T1-E3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET P-CH 150V 0.53A SOT23-3
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : P-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 150V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 530mA (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 1.2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 510pF @ 25V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 750mW (Ta)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-23-3 (TO-236)
Pacáiste / Cás : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3