Vishay Siliconix - SI2372DS-T1-GE3

KEY Part #: K6419290

SI2372DS-T1-GE3 Praghsáil (USD) [853141pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.04335
  • 3,000 pcs$0.04127

Cuid Uimhir:
SI2372DS-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N-CHAN 30V SOT23.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - Rectifiers - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Diodes - Zener - Sraith, Thyristors - SCRanna - Modúil, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Thyristors - SCRanna and Diodes - Rectifiers - Eagair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI2372DS-T1-GE3 electronic components. SI2372DS-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI2372DS-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI2372DS-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI2372DS-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET N-CHAN 30V SOT23
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Obsolete
Cineál FET : N-Channel
Teicneolaíocht : MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 4A (Ta), 5.3A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 33 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 8.9nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 288pF @ 15V
Gné FET : -
Díscaoileadh Cumhachta (Max) : 960mW (Ta), 1.7W (Tc)
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SOT-23-3 (TO-236)
Pacáiste / Cás : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin