Vishay Siliconix - SI7212DN-T1-GE3

KEY Part #: K6525260

SI7212DN-T1-GE3 Praghsáil (USD) [153209pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.24142
  • 3,000 pcs$0.20404

Cuid Uimhir:
SI7212DN-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Diodes - Rectifiers Bridge, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair and Diodes - Zener - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI7212DN-T1-GE3 electronic components. SI7212DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7212DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7212DN-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI7212DN-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 1212-8
Sraith : -
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 N-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 4.9A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 36 mOhm @ 6.8A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1.6V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 11nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Cumhacht - Max : 1.3W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8 Dual