Cuid Uimhir :
SI7703EDN-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
4.3A (Ta)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
48 mOhm @ 6.3A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
1V @ 800µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
18nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Gné FET :
Schottky Diode (Isolated)
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
1.3W (Ta)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerPAK® 1212-8
Pacáiste / Cás :
PowerPAK® 1212-8