Vishay Siliconix - SI5908DC-T1-GE3

KEY Part #: K6522069

SI5908DC-T1-GE3 Praghsáil (USD) [142562pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.25945
  • 3,000 pcs$0.24363

Cuid Uimhir:
SI5908DC-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Diodes - RF, Túistéirí - DIACs, SIDACanna, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Trasraitheoirí - JFETanna, Thyristors - SCRanna, Diodes - Rectifiers Bridge, Trasraitheoirí - FETs, MOSFETs - Eagair and Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI5908DC-T1-GE3 electronic components. SI5908DC-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5908DC-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI5908DC-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI5908DC-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET 2N-CH 20V 4.4A 1206-8
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 N-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 4.4A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 7.5nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Cumhacht - Max : 1.1W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 8-SMD, Flat Lead
Pacáiste Gléas Soláthraithe : 1206-8 ChipFET™