Vishay Siliconix - SI5513DC-T1-E3

KEY Part #: K6524411

[3841pcs Stoc]


    Cuid Uimhir:
    SI5513DC-T1-E3
    Monaróir:
    Vishay Siliconix
    Cur síos mionsonraithe:
    MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8.
    Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
    I stoc
    Seilfré:
    Bliain
    Slis Ó:
    Hong Cong
    RoHS:
    Modh íocaíochta:
    Bealach loingsithe:
    Catagóirí Teaghlaigh:
    Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Diodes - Toilleadh Athrógach (Varicaps, Varactors), Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Diodes - Zener - Sraith, Trasraitheoirí - FETanna, MOSFETanna - Aonair, Thyristors - SCRanna - Modúil and Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair ...
    Buntáiste iomaíoch:
    We specialize in Vishay Siliconix SI5513DC-T1-E3 electronic components. SI5513DC-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI5513DC-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SI5513DC-T1-E3 Tréithe Táirge

    Cuid Uimhir : SI5513DC-T1-E3
    Monaróir : Vishay Siliconix
    Cur síos : MOSFET N/P-CH 20V 3.1A 1206-8
    Sraith : TrenchFET®
    Stádas Cuid : Obsolete
    Cineál FET : N and P-Channel
    Gné FET : Logic Level Gate
    Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
    Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 3.1A, 2.1A
    Rds On (Max) @ Id, Vgs : 75 mOhm @ 3.1A, 4.5V
    Vgs (ú) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
    Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 6nC @ 4.5V
    Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
    Cumhacht - Max : 1.1W
    Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
    Cineál Gléasta : Surface Mount
    Pacáiste / Cás : 8-SMD, Flat Lead
    Pacáiste Gléas Soláthraithe : 1206-8 ChipFET™