Vishay Siliconix - SI7913DN-T1-GE3

KEY Part #: K6522080

SI7913DN-T1-GE3 Praghsáil (USD) [111328pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.33224
  • 3,000 pcs$0.31128

Cuid Uimhir:
SI7913DN-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - Bipolar (BJT) - Aonair, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Diodes - Rectifiers - Eagair, Trasraitheoirí - IGBTanna - Eagair, Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF, Trasraitheoirí - JFETanna and Diodes - Rectifiers Bridge ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI7913DN-T1-GE3 electronic components. SI7913DN-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI7913DN-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI7913DN-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI7913DN-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET 2P-CH 20V 5A PPAK 1212-8
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 P-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 37 mOhm @ 7.4A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 24nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Cumhacht - Max : 1.3W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : PowerPAK® 1212-8 Dual
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PowerPAK® 1212-8 Dual

B'fhéidir go mbeadh spéis agat freisin