Infineon Technologies - BSO612CVGHUMA1

KEY Part #: K6525342

BSO612CVGHUMA1 Praghsáil (USD) [210131pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.17602
  • 2,500 pcs$0.16896

Cuid Uimhir:
BSO612CVGHUMA1
Monaróir:
Infineon Technologies
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Thyristors - SCRanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Aonair, Transistors - Bipolar (BJT) - Sraitheanna, Réamh-c, Trasraitheoirí - JFETanna, Diodes - Rectifiers - Aonair, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil and Trasraitheoirí - Bipolar (BJT) - RF ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Infineon Technologies BSO612CVGHUMA1 electronic components. BSO612CVGHUMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSO612CVGHUMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BSO612CVGHUMA1 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : BSO612CVGHUMA1
Monaróir : Infineon Technologies
Cur síos : MOSFET N/P-CH 60V 2A 8-SOIC
Sraith : SIPMOS®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : N and P-Channel
Gné FET : Standard
Drain to Voltage Source (Vdss) : 60V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 3A, 2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 3A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 15.5nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : 340pF @ 25V
Cumhacht - Max : 2W
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacáiste Gléas Soláthraithe : PG-DSO-8