Vishay Siliconix - SI1902DL-T1-GE3

KEY Part #: K6522740

SI1902DL-T1-GE3 Praghsáil (USD) [454493pcs Stoc]

  • 1 pcs$0.08138
  • 3,000 pcs$0.07687

Cuid Uimhir:
SI1902DL-T1-GE3
Monaróir:
Vishay Siliconix
Cur síos mionsonraithe:
MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6.
Am luaidhe caighdeánach an déantóra:
I stoc
Seilfré:
Bliain
Slis Ó:
Hong Cong
RoHS:
Modh íocaíochta:
Bealach loingsithe:
Catagóirí Teaghlaigh:
Dáileoir Comhpháirteanna Leictreonacha is ea KEY Components Co, a thairgeann catagóirí táirgí lena n-áirítear: Transistors - FETs, MOSFETs - RF, Túistéirí - TRIACanna, Trasraitheoirí - Neamhfheidhmiú Inchláraithe, Diodes - Rectifiers Bridge, Trasraitheoirí - Cuspóir Speisialta, Thyristors - SCRanna - Modúil, Trasraitheoirí - IGBTanna - Modúil and Modúil Tiomána Cumhachta ...
Buntáiste iomaíoch:
We specialize in Vishay Siliconix SI1902DL-T1-GE3 electronic components. SI1902DL-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI1902DL-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SI1902DL-T1-GE3 Tréithe Táirge

Cuid Uimhir : SI1902DL-T1-GE3
Monaróir : Vishay Siliconix
Cur síos : MOSFET 2N-CH 20V 0.66A SC-70-6
Sraith : TrenchFET®
Stádas Cuid : Active
Cineál FET : 2 N-Channel (Dual)
Gné FET : Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) : 20V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C : 660mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 385 mOhm @ 660mA, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id : 1.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs : 1.2nC @ 4.5V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds : -
Cumhacht - Max : 270mW
Teocht Oibriúcháin : -55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta : Surface Mount
Pacáiste / Cás : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacáiste Gléas Soláthraithe : SC-70-6 (SOT-363)