Cuid Uimhir :
SI4967DY-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET 2P-CH 12V 8SOIC
Cineál FET :
2 P-Channel (Dual)
Gné FET :
Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) :
12V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
23 mOhm @ 7.5A, 4.5V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
450mV @ 250µA (Min)
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
55nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
-
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO