Cuid Uimhir :
SIHH21N65E-T1-GE3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET N-CH 650V 20.3A PWRPAK8X8
Teicneolaíocht :
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Voltage Source (Vdss) :
650V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
20.3A (Tc)
Voltas Céide (Max Rds On, Min Rds Ar) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
99nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
2404pF @ 100V
Díscaoileadh Cumhachta (Max) :
156W (Tc)
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
PowerPAK® 8 x 8
Pacáiste / Cás :
8-PowerTDFN