Cuid Uimhir :
SI4276DY-T1-E3
Monaróir :
Vishay Siliconix
Cur síos :
MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO
Cineál FET :
2 N-Channel (Dual)
Gné FET :
Logic Level Gate
Drain to Voltage Source (Vdss) :
30V
Reatha - Leanúnach Drain (Id) @ 25 ° C :
8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
15.3 mOhm @ 9.5A, 10V
Vgs (ú) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Muirear Geata (Qg) (Max) @ Vgs :
26nC @ 10V
Toilleadh Ionchuir (Ciss) (Max) @ Vds :
1000pF @ 15V
Cumhacht - Max :
3.6W, 2.8W
Teocht Oibriúcháin :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Cineál Gléasta :
Surface Mount
Pacáiste / Cás :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacáiste Gléas Soláthraithe :
8-SO